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一、HSFET-DL版MOSFET芯片

芯片規格源漏擊穿電壓連續源漏極電流門極閾值電壓飽和源漏極電流柵源漏電流靜態導通電阻源漏正向壓降

V A V nA nA Ω V

HS6N40D3L 430 6 2.0-4.0 100 ±90 1.15 0.9

HS11N40D3L 430 11 2.0-4.0 100 ±90
0.595 0.9

HS11N40D2L 430 11 2.0-4.0 100 ±90
0.535 0.9

HS5N50D3L 500 5 2.0-4.0 100 ±90
1.7 0.9

HS8N50D3L 500 8 2.0-4.0 100 ±90
0.95 0.9

HS8N50D2L 500 8 2.0-4.0 100 ±90
0.89 0.9

HS10N50D2L 500 10 2.0-4.0 200 ±90
0.7 0.9

HS13N50D2L 500 13 2.0-4.0 200 ±90
0.55 0.9

HS16N50D2V 500 16 3.0-5.0 200 ±90
0.445 0.9

HS18N50D2V 500 18 3.0-5.0 200 ±90
0.36 0.9

HS20N50D2V 500 20 3.0-5.0 300 ±90
0.32 0.9

HS4N65D3L 650 4 2.0-4.0 100 ±90
2.6 0.9

HS5N65D3L 650 5 2.0-4.0 100 ±90
2.6 0.9

HS7N65D3L 650 7 2.0-4.0 100 ±90
1.3 0.9

HS8N65D3L 650 8 2.0-4.0 100 ±90
1.3 0.9

HS7N65D2L 650 7 2.0-4.0 100 ±90
1.2 0.9

HS8N65D2L 650 8 2.0-4.0 100 ±90
1.2 0.9

HS9N65D2L 650 9 2.0-4.0 200 ±90
1.0 0.9

HS10N65D2L 650 10 2.0-4.0 200 ±90
0.735 0.9

HS12N67D2L 670 12 2.0-4.0 200 ±90
0.83 0.9

HS14N67D2L 670 14 2.0-4.0 200 ±90
0.7 0.9

HS16N67D2V 670 16 3.0-5.0 200 ±90
0.54 0.9

HS18N67D3V 670 18 3.0-5.0 200 ±90
0.5 0.9

HS20N67D3V 670 20 3.0-5.0 300 ±90
0.48 0.9

二、HSFET-C2版MOSFET芯片

芯片規格源漏擊穿電壓連續源漏極電流門極閾值電壓飽和源漏極電流柵源漏電流靜態導通電阻源漏正向壓降

V A V nA nA Ω V

HS8N50C2 500 8 2.0-4.0 100 ±90 0.95 0.9

HS13N50C2 500 13 2.0-4.0 200 ±90
0.58 0.9

HS16N50C2 500 16 3.0-5.0 200 ±90
0.445 0.9

HS18N50C2 500 18 3.0-5.0 200 ±90
0.365 0.9

HS20N50C2 500
20 2.0-4.0 300 ±90
0.32 0.9

HS24N50C2 500 24 2.0-4.0 300 ±90
0.28 0.9

HS4N60C2 600 4 2.0-4.0 100 ±90
2.5 0.9

HS5N60C2 600 4.5 2.0-4.0 100 ±90
2.5 0.9

HS7N60C2 600 7 2.0-4.0 100 ±90
1.34 0.9

HS8N60C2 600 7.5 2.0-4.0 100 ±90
1.34 0.9

HS10N60C2 600 10 2.0-4.0 150 ±90
0.785 0.9

HS12N60C2 600 12 2.0-4.0 200 ±90
0.65 0.9

HS4N65C2 650 4 2.0-4.0 100 ±90
3.0 0.9

HS5N65C2 650 4.5 2.0-4.0 100 ±90 3.0 0.9

HS7N65C2 650 7 2.0-4.0 100 ±90
1.4 0.9

HS8N65C2 650 7.5 2.0-4.0 100 ±90 1.4 0.9

HS10N65C2 650 10 2.0-4.0 150 ±90
0.85 0.9

HS12N65C2 650 12 2.0-4.0 200 ±90
0.75 0.9

HS10N70C2 700 10 2.0-4.0 200 ±90
0.92 0.9

HS12N70C2 700 12 2.0-4.0 200 ±90
0.8 0.9

HS7N80C2 800 7 3.0-5.0 300 ±90
1.9 0.9

HS9N90C2 900 9 2.0-4.0 300 ±90
1.5 0.9

注1：背面金屬為銀，表面金屬為鋁。

注2：產品參數及規格可根據客戶要求定制。

電話:13705597336
電話:13956270581
E-mail:hsdianqi@vip.163.com
傳真：0559-4510020
黃山芯微電子股份有限公司
地址：安徽省黃山市祁門縣新興路449號

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芯片規格	源漏擊穿電壓	連續源漏極電流	門極閾值電壓	飽和源漏極電流	柵源漏電流	靜態導通電阻	源漏正向壓降
	V	A	V	nA	nA	Ω	V
HS6N40D3L	430	6	2.0-4.0	100	±90	1.15	0.9
HS11N40D3L	430	11	2.0-4.0	100	±90	0.595	0.9
HS11N40D2L	430	11	2.0-4.0	100	±90	0.535	0.9
HS5N50D3L	500	5	2.0-4.0	100	±90	1.7	0.9
HS8N50D3L	500	8	2.0-4.0	100	±90	0.95	0.9
HS8N50D2L	500	8	2.0-4.0	100	±90	0.89	0.9
HS10N50D2L	500	10	2.0-4.0	200	±90	0.7	0.9
HS13N50D2L	500	13	2.0-4.0	200	±90	0.55	0.9
HS16N50D2V	500	16	3.0-5.0	200	±90	0.445	0.9
HS18N50D2V	500	18	3.0-5.0	200	±90	0.36	0.9
HS20N50D2V	500	20	3.0-5.0	300	±90	0.32	0.9
HS4N65D3L	650	4	2.0-4.0	100	±90	2.6	0.9
HS5N65D3L	650	5	2.0-4.0	100	±90	2.6	0.9
HS7N65D3L	650	7	2.0-4.0	100	±90	1.3	0.9
HS8N65D3L	650	8	2.0-4.0	100	±90	1.3	0.9
HS7N65D2L	650	7	2.0-4.0	100	±90	1.2	0.9
HS8N65D2L	650	8	2.0-4.0	100	±90	1.2	0.9
HS9N65D2L	650	9	2.0-4.0	200	±90	1.0	0.9
HS10N65D2L	650	10	2.0-4.0	200	±90	0.735	0.9
HS12N67D2L	670	12	2.0-4.0	200	±90	0.83	0.9
HS14N67D2L	670	14	2.0-4.0	200	±90	0.7	0.9
HS16N67D2V	670	16	3.0-5.0	200	±90	0.54	0.9
HS18N67D3V	670	18	3.0-5.0	200	±90	0.5	0.9
HS20N67D3V	670	20	3.0-5.0	300	±90	0.48	0.9